Quick Charge 3.0究竟有多快？

　　除了依靠14nm制程和Hexagon 680 DSP降低整套SoC平台功耗，在Quick Charge快速充电技术上也迎来了突破。Quick Charge 2.0相比Quick Charge 1.0技术充电速度已经提升了不少，是普通充电方式的1.75倍。而Quick Charge 3.0相比Quick Charge 2.0又提高了38%，最终根据Qualcomm给出的数据，QC 3.0的充电速度是传统充电方式的4倍。届时各位读者不妨和OPPO的VOOC闪充进行一下对比。另一方面，如今市面上（除OPPO的VOOC闪充）搭载了Qualcomm处理器的手机，只要提及到快充技术，其实都是脱胎于QC 2.0快速充电技术，可见Qualcomm除了基带芯片在行业中拥有定制标准的地位，快速充电技术也不遑多让，成为了多家厂商制定技术标准的参照，这大概就是“三流企业销售产品，二流企业提供服务，一流企业制定标准”的道理吧。

三代Quick Charge快速充电技术对比

　　结束语：相比Qualcomm骁龙810，采用全新自主架构的Kryo配合先进的14nm制程联手打造的Qualcomm骁龙820，充分权衡了性能和功耗问题。另一方面，Qualcomm Symphony System Manager将Qualcomm骁龙820内部各个异构计算的模块打通，根据实际场景需要，合理调度最佳的解决方案和核心去处理每一项任务，最大限度提高工作效率和降低能耗，不浪费硬件资源。最后，凭借Hexagon 680 DSP分别配合Kryo CPU、Adreno 530 GPU、Spectra ISP三大模块在保证性能的同时做到“节能减排”，当然还有Kryo CPU，只用4颗核心去处理其它厂商需要8颗核心才能够完成的任务，高效率的表现。

　　综上所述，Qualcomm骁龙820就是Qualcomm针对前作在性能以及功耗上的全面升级与优化的解决方案。